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    富士電機株式會社（法人代表董事兼社長：北澤通宏，總部：東京都品川區）推出的“第2代分立式SiC-SBD^※系列”功率半導體產品已開始上市發售，特此通知。該產品將有助于推動數據中心和通信基站等實現節電。

    ※Schottky Barrier Diode

1．背景

      隨著DX（數字化轉型）的啟動、遠程辦公的日益普及以及互聯網服務得到越來越廣泛的應用，網絡通信量與日俱增，數據中心和通信基站的設備投資加速。與此同時，電源設備的需求也在不斷増加，電源設備當前的市場規模約為3,000億日元，預計到2028年度將會增長至約4,500億日元^※。

    數據中心和通信基站的設備運轉需要大量的直流電力，因此電源設備中一般配備有功率半導體（二極管），以便將電力公司供應的交流電高效轉換（整流）為直流電。

    功率半導體在通電時會產生電力損耗（恒定損耗）。此次，我們針對數據中心和通信基站等的電源設備，開發并推出了“第2代分立式SiC-SBD系列”產品，該產品可通過降低電路內的恒定損耗來幫助設備實現節電。

    我們將面向全球推廣該產品，希望通過推進設備的節電為建設脫碳社會盡一份力。

    ※本公司根據IHS公司的資料進行的推算

2．產品特點

將電路板的厚度縮減至三分之一，實現低損耗

      要想降低功率半導體的電力損耗，方法之一是將作為元件的電路板加工得更薄，以縮短電流的傳導距離。與本公司老款產品第1代SiC-SBD系列相比，本產品所配備的SiC（碳化硅）電路板的厚度已降至其三分之一左右，同時，通過調整芯片結構，使恒定損耗降低了16%^※。我們運用公司特有的加工技術降低電路板厚度，從而打造出行業最高水平的薄度。此外，該產品還提高了對雷擊引起的大電流的抵抗能力。這些對于提高其搭載設備的節能以及可靠性將會起到推動作用。

※額定電壓650V產品

3．主要規格

※尚處于開發階段（計劃于2022年1月發售）

4．產品咨詢部門
富士電機株式會社 半導體事業本部 營業統括部 營業第一部

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